Micro LED是近年來備受關注的技術熱點。如今，各大企業都在加緊布局Micro LED領域，以求搶占Micro LED技術高地。一直以來，利亞德不斷突破Micro LED核心技術，提升自身核心競爭力，持續引領顯示行業創新發展。近期，利亞德集團副總裁、智能顯示研究院院長盧長軍在2022集邦咨詢新型顯示產業研討會上分析了Micro LED未來發展趨勢，還講述利亞德在Micro LED前沿技術領域的諸多成就，為行業探索Micro LED領域提供有利的借鑒。

利亞德關注Micro LED發展，加強創新技術研究

Micro LED應用前景廣闊，從商業應用到消費電子，都是Micro LED可大展身手的領域。但目前Micro LED處于發展初期，在巨量轉移、芯片效率、全彩技術等一系列問題上，業界尚未有成熟的解決方案，規�；�量產與應用仍需時間。因此，當務之急是進一步突破Micro LED核心技術問題。

Micro LED包含了4大核心技術，分別是Micro LED芯片技術、巨量轉移技術、檢測及返修、光學和表面處理。利亞德認為，激光巨量轉移是現階段最優解方案，其具有較好的兼容性，可同時應用于轉移帶與不帶襯底的LED，且在帶襯底LED芯片的轉移中能夠避免LED的偏移和側翻問題。

檢測及返修：檢測技術上，由于Micro LED芯片和電極過于微小，業界研發了非接觸式檢測技術，可通過PL檢測測試LED光學性能，但電學性能暫時無法測試，因此業界也有觀點認為，若能保證LED外延的均勻性和波長的一致性且無顆粒，則無需點測及分bin。

光學和表面處理：針對提高對比度/黑度，降低反射率，目前解決方案有：縮小LED芯片尺寸、底部填充基板線路進行遮蔽、增加基板墨色、表面覆蓋抗反射膜等。針對墨色一致性問題，也可啟用墨色篩選，雖可一定程度上解決問題，但卻會對終端產品售價造成負面影響，而針對亮屏顏色的一致性問題，主要通過LED分bin和混bin管理進行控制，并通過后端校正來解決；針對像素尺寸與像素間距的適配問題，則是通過增加像素填充率來解決。

不斷突破Micro LED核心技術，利亞德找到屬于自己的發展之道

面對Micro LED關鍵技術難題，LED業界給出了多種技術路徑，嘗試從中找到最佳的解決方案。利亞德憑借自身在LED顯示行業的豐富經驗，也探索出屬于自己的Micro LED發展之道。

在巨量轉移技術上，利亞德基于對大尺寸的Micro LED顯示技術的理解，發展了兩種巨量轉移技術，分別是mass transfer1和mass transfer2，mass transfer1主要應對帶襯底LED和PCB基板的巨量轉移，mass trasnfer2則是針對無襯底、玻璃基板或其他高精度基板的巨量轉移應用。

在表面處理和光學方面，利亞德發展了A、B、C MODE三種表面處理技術，A MODE屬于高性價比方案；B MODE是雙層封裝結構，墨色一致性、均勻度、對比度具有較好的表現；C MODE均勻度表現最佳，適合COB和COG封裝產品的應用。

未來，利亞德將繼續攻克Micro LED技術難題，追求間距縮小、極致畫質、高可靠性及穩定性等都將是利亞德研究的主要課題。隨著Micro LED技術不斷成熟，在利亞德等創新科技企業的助力下，Micro LED也將在顯示行業釋放更多潛能，為顯示行業帶來新的發展機遇。